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簡(jiǎn)介講述氧化亞硅真空升華爐
瀏覽人數:758 次更新時(shí)間:2023-12-15


      氧化亞硅真空升華爐是用于制備高純氧化亞硅材料,升華爐主要提高氧化亞硅的純度,改變電池負極容量值。

      氧化亞硅真空升華爐應用于半導體硅片的制備,也可應用于氧化亞硅、碳化硅等帶半導體材料的研究與開(kāi)發(fā),還可用于微電子器件、光電子器件、光子晶體、生物醫學(xué)工程、納米技術(shù)等領(lǐng)域。

      該設備的特點(diǎn)是具有高真空度和加熱控制系統的精確性,能夠實(shí)現晶體的高效分離和高質(zhì)量產(chǎn)品的生產(chǎn)。在氧化亞硅真空升華爐中,可以通過(guò)控制加熱溫度和時(shí)間、升華室的真空度等因素,實(shí)現不同類(lèi)型和規格的晶體生產(chǎn)。

      該設備有收集系統、升華系統、加熱系統、溫控系統、真空系統、冷卻系統六大組成。

      升華系統:由加熱區和收集區組成,加熱區由感應線(xiàn)圈、重質(zhì)剛玉、石墨硬氈、等靜壓石墨組成;收集區由310S不銹鋼及保溫層組成
      加熱系統:采用感應加熱,電源采用IGBT節能型電源,噪音小,比傳統晶閘管電源節能15%左右

      溫控系統:采用 PLC 觸屏集中控制方式,自動(dòng)化控制,帶網(wǎng)口,可實(shí)現遠程控制
      真空系統:由多級真空泵、真空閥,壓力控制器及管路組成

      冷卻系統:配置閉式冷卻系統,內循環(huán)用去離子水,不會(huì )造成設備管路結垢,內循環(huán)水損失小,外循環(huán)用自來(lái)水,自動(dòng)補水,風(fēng)機自啟動(dòng)散熱;散熱效果好,集成環(huán)保,占地面積小等特點(diǎn)。


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