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      氧化亞硅真空升華爐是用于制備高純氧化亞硅材料，升華爐主要提高氧化亞硅的純度，改變電池負極容量值。

      氧化亞硅真空升華爐應用于半導體硅片的制備，也可應用于氧化亞硅、碳化硅等帶半導體材料的研究與開(kāi)發(fā)，還可用于微電子器件、光電子器件、光子晶體、生物醫學(xué)工程、納米技術(shù)等領(lǐng)域。

      該設備的特點(diǎn)是具有高真空度和加熱控制系統的精確性，能夠實(shí)現晶體的高效分離和高質(zhì)量產(chǎn)品的生產(chǎn)。在氧化亞硅真空升華爐中，可以通過(guò)控制加熱溫度和時(shí)間、升華室的真空度等因素，實(shí)現不同類(lèi)型和規格的晶體生產(chǎn)。

      該設備有收集系統、升華系統、加熱系統、溫控系統、真空系統、冷卻系統六大組成。

      升華系統：由加熱區和收集區組成，加熱區由感應線(xiàn)圈、重質(zhì)剛玉、石墨硬氈、等靜壓石墨組成；收集區由310S不銹鋼及保溫層組成
      加熱系統：采用感應加熱，電源采用IGBT節能型電源，噪音小，比傳統晶閘管電源節能15%左右

      溫控系統：采用 PLC 觸屏集中控制方式，自動(dòng)化控制，帶網(wǎng)口，可實(shí)現遠程控制
      真空系統：由多級真空泵、真空閥，壓力控制器及管路組成

      冷卻系統：配置閉式冷卻系統，內循環(huán)用去離子水，不會(huì )造成設備管路結垢，內循環(huán)水損失小，外循環(huán)用自來(lái)水，自動(dòng)補水，風(fēng)機自啟動(dòng)散熱；散熱效果好，集成環(huán)保，占地面積小等特點(diǎn)。